TI Bq77905 Administración de carga de la batería Chip Protección de Monitor de tensión componentes electrónicos circuito integrado IC.

Información de calidad

• Modo NORMAL: 6 µA (BQ77904 y BQ77905)
• Conjunto completo de protecciones de voltaje, corriente y temperatura
• Recuento de celdas escalable de la serie 3 a la serie 20 o. más
• Protección de tensión (precisión ±10 mV)
  • Sobretensión: De 3 V a 4,575 V.
  • Subtensión: De 1,2 V a 3 V.
• Detección de célula abierta y cable abierto (OW)
• Protección de corriente
  • Descarga de sobrecorriente 1: -10 mV a -85 mV
  • Descarga de sobrecorriente 2: -20 mV a +170 mV
  • Descarga por cortocircuito: -40 mV a +340 mV
  • Precisión ±20% para ≤ 20 mV, ±30% para > 20 mV a toda temperatura
• Protección de temperatura
  • Carga por exceso de temperatura: 45°C o 50°C.
  • Descarga por exceso de temperatura: 65°C o 70°C.
  • Carga por subtemperatura: -5°C o 0°C.
  • Descarga por debajo de la temperatura: -20°C o -10°C.
• Características adicionales
  • Controladores FET de carga y descarga (DSG) independientes
  • 36 V nominal máximo absoluto por entrada de celda
  • Funciones de autocomprobación integradas para una alta fiabilidad
• Modo DE PARADA: 0,5-µA máximo
• Capacidad funcional de seguridad
  • Documentación disponible para ayudar en el diseño funcional del sistema de seguridad

Los dispositivos BQ77904 y BQ77905 son protectores de batería de baja potencia que implementan un conjunto de protecciones de voltaje, corriente y temperatura sin control de microcontrolador (MCU). La interfaz apilable del dispositivo proporciona una escala sencilla para admitir aplicaciones de batería de la serie 3 a la serie 20 o más. Los umbrales y retrasos de protección están programados en fábrica y están disponibles en una variedad de configuraciones. Para mayor flexibilidad, se proporcionan umbrales separados de exceso y subtemperatura para descarga (OTD y UTD) y carga (OTC y UTC).

El dispositivo consigue protección de paquetes a través de los controladores independientes integrados CHG y DSG de baja calidad NMOS FET, que pueden desactivarse a través de dos pines de control. Estos pasadores de control también pueden usarse para lograr soluciones de protección celular para series superiores (serie 6 y posteriores) de una manera sencilla y económica. Para ello, simplemente ponga en cascada un dispositivo superior CHG y DSG salidas a los pines de control del dispositivo inferior inmediato. Para reducir el recuento de componentes, todos los fallos de protección utilizan temporizadores de retardo internos.